• 砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT

    砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, 12.5 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的 >10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流

    更新时间:2024-12-06
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  • 砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT

    砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, 12.5 GHz 美国EOT 产品总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2025-01-22
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  • ET-5000-铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美 国EOT   PD

    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT [PDF] 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT PD

    更新时间:2024-12-06
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  • 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz  美国EOT

    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, 10 GHz 美国EOT 产品总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2025-01-22
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  • 6mm大光敏面(Si)硅光电探测器

    6mm大光敏面(Si)硅光电探测器 器件为硅PIN 光电二极管,在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。

    更新时间:2026-06-09
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