• ET-5000-铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美 国EOT   PD

    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT [PDF] 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT PD

    更新时间:2024-12-06
    产品型号:ET-5000-
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  • 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz  美国EOT

    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, 10 GHz 美国EOT 产品总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2025-01-22
    产品型号:
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  • 硅 Silicon ET-2040   硅光电探测器 >25MHz 美国EOT

    硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 >25MHz 美国EOT 产品总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2025-01-22
    产品型号:
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  • PDA8A2(DP)320-1000nm放大型固定增益硅光电探测器

    320-1000nm放大型固定增益硅光电探测器 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外,还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。

    更新时间:2025-07-03
    产品型号:PDA8A2(DP)
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  • 硅 Silicon  ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT

    硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 118 MHz 美国EOT 产品总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2025-01-22
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