• PDA8A2(DP)320-1000nm放大型固定增益硅光电探测器

    320-1000nm放大型固定增益硅光电探测器 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外,还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。

    更新时间:2025-07-03
    产品型号:PDA8A2(DP)
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  • 硅 Silicon  ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT

    硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 118 MHz 美国EOT 产品总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2025-01-22
    产品型号:
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  • InGaAs ET-3000  InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT

    InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 2 GHz 美国EOT 产品总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2025-01-22
    产品型号:
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  • 铟镓砷 InGaAs  ET-3010  光电探测器 >2 GHz 美国EOT

    铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 2 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2024-12-06
    产品型号:
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  • GaAs-0.4/0.9um-10G/40ps-S400-900nm超快光电探测器 感光尺寸 Φ50um

    400-900nm超快光电探测器 感光尺寸 Φ50um 我们的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。 EOT 的 10 GHz 光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。

    更新时间:2025-09-23
    产品型号:GaAs-0.4/0.9um-10G/40ps-S
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