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Si(硅)光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz

简要描述:Si(硅)光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz:工作波长400~1100nm 带宽100MHz 探测器型号: si硅 探测器响应度 0.55@850nm

  • 产品型号:BPD-Si-100M-B
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2021-12-13
  • 访  问  量:183

详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
产地类别进口应用领域医疗卫生
Si(硅)光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz 总览

高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的超低噪 声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。 具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等 特点,可以有效的减少信号的共模噪声,提高系统的信噪比。

产品型号 BPD-Si-100M-B BPD-Si-200M-B BPD-Si-350M-B BPD-Si-500M-B BPD-Si-1G-B

Si(硅)光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz 技术参数

产品特点

噪声低

高增益

高带宽

结构紧凑

内置低噪隔离电源


应用领域

分布式光纤传感

激光测风雷达

光学相干层析

光谱测量

ns 级光脉冲探测


技术参数

产品型号

BPD-Si-100M-B

BPD-Si-200M-B

BPD-Si-350M-B

BPD-Si-500M-B

BPD-Si-1G-B

单位

探测器型号

Si

波长

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

nm

带宽

100M

200M

350M

500M

1G

Hz

探测器响应度

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

A/W

跨阻增益

30K

30K

30K

30K

30K

V/A

饱和输入光功率

250

250

250

250

250

μW

NEP

12

12

12

13

13

pW/Sqrt(Hz)

共模抑制比

>25

>25

>25

>25

>25

dB

输出阻抗

50

50

50

50

50

Ω

输出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

AC

AC


供电电压

5

5

5

12

12

V

供电电流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光学输入

FC/APC(自由空间可选)

FC/APC(自由空间可选)

FC/APC(自由空间可选)

FC/APC(自由空间可选)

FC/APC(自由空间可选)


射频输出

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA


外形尺寸

62*47*25

62*47*25

62*47*25

62*47*25

62*47*25

mm




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